หน่วยความจำ DDR5 เพื่อรวม ECC ทำให้เป็นตัวเลือกที่น่าเชื่อถือมากขึ้นสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ | ที่มา: Korea Herald
DDR5 DRAM ได้รับการพัฒนามาระยะหนึ่งแล้ว ในขณะที่เรากำลังก้าวไปสู่การเปิดตัวเราค่อยๆเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ DDR DRAM รุ่นที่ห้าในวันนี้มีการเปิดเผยในวันนี้ว่า DDR5 DRAM จะเป็นโซลูชันที่เชื่อถือได้มากขึ้นสำหรับหน่วยความจำยานยนต์ นั่นเป็นเพราะสาเหตุสองประการ ก่อนอื่นเรามีความเร็วในการรับส่งข้อมูลที่สูงขึ้น ประการที่สองเรามีรหัสแก้ไขข้อผิดพลาด (ECC) ที่จะฝังอยู่บนชิป
DDR5 DRAM - สิ่งใหม่ที่ล้ำสมัยต่อไป?
เช่น Korea Herald รายงานว่า“ รหัสแก้ไขข้อผิดพลาดที่เรียกว่า ECC ตรวจจับและดึงข้อผิดพลาดในการถ่ายโอนข้อมูลซึ่งฝังอยู่ในชิปในขณะนี้ Kim Dong-kyun นักวิจัยด้านการออกแบบ DRAM ของ SK hynix ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่อันดับสองของโลกกล่าว . โปรโตคอลการตรวจสอบข้อผิดพลาดดังกล่าวมีความสำคัญอย่างยิ่งในอนาคตของหน่วยความจำยานยนต์ที่ถ่ายโอนและประมวลผลข้อมูลจำนวนมหาศาลภายในสมองของรถยนต์ที่ขับเคลื่อนด้วยตนเอง” สำหรับผู้ที่ไม่ทราบการแก้ไขข้อผิดพลาดเกี่ยวข้องกับการป้องกันข้อผิดพลาดแบบอ่อนด้วยความช่วยเหลือของ ECC โดยปกติจะใช้ในแอปพลิเคชันที่มีความสำคัญต่อภารกิจเช่นการคำนวณทางวิทยาศาสตร์และสิ่งของต่างๆ
โดยเน้นย้ำถึงความสำคัญของคุณภาพในรถยนต์ Kim กล่าวว่าจำเป็นที่ DRAM จะต้องมี ECC เขากล่าวเพิ่มเติมว่า ECC ที่นำมาใช้จะทำให้เป็นตัวเลือกที่น่าเชื่อถือมากขึ้นสำหรับยานยนต์ ในขณะที่ Kim เน้นเฉพาะอุตสาหกรรมยานยนต์ แต่ ECC จะเป็นประโยชน์ต่อภาคส่วนอื่น ๆ อีกมากเช่นกัน สองภาคส่วนหลักที่จะได้รับประโยชน์คือการวิเคราะห์ข้อมูลขนาดใหญ่และอุตสาหกรรม AI หากคุณสงสัยว่า DDR5 จะเร็วกว่า DDR4 แค่ไหนก็ประมาณ 60 เปอร์เซ็นต์
DDR5 DRAM คาดว่าจะมีความต้องการเพิ่มขึ้นในอีกหลายปีข้างหน้า ตาม IDC DDR5 จะคิดเป็น 25 เปอร์เซ็นต์ของส่วนแบ่งการตลาดในปี 2564 และ 44 เปอร์เซ็นต์ในปี 2565 ความเร็วของ DRAM จะเพิ่มขึ้นอีกเป็น 6.4 กิกะบิตต่อวินาทีจาก 5.4 กิกะบิตต่อวินาทีภายในปี 2565 ในขณะเดียวกันคิมยังกล่าวเพิ่มเติมว่าที่หก การสร้าง DRAM ก็อยู่ในผลงานเช่นกัน คาดว่าจะได้รับการพัฒนาในอีกประมาณ 5 ถึง 6 ปี
