ประกาศกระบวนการ 5nm ของ Samsung พร้อมกับรายละเอียดของ 4nm และ 3nm

ชิปที่มีประสิทธิภาพมากขึ้นกำลังจะมา

ในขณะที่ Intel ประสบปัญหาเกี่ยวกับกระบวนการ 10nm และล่าช้าไป 3 ครั้งแล้ว แต่ Samsung ก็สามารถเข้าสู่กระบวนการ 7nm ได้แล้วและตอนนี้เราได้รับรายละเอียดเกี่ยวกับกระบวนการ 5nm ของ Samsung แล้ว ไม่เพียงเท่านั้น Samsung ยังเปิดเผยรายละเอียดเกี่ยวกับกระบวนการ 4nm และ 3nm ชิปจะมีขนาดเล็กลงและประหยัดพลังงานมากขึ้นซึ่งหมายถึงการใช้พลังงานที่ลดลงและอายุการใช้งานแบตเตอรี่ที่ยาวนานขึ้น

กระบวนการ Samsung 5nm หรือ 5nm Low Power Early จะเป็นรุ่นที่ลดลงของกระบวนการ 7nm พร้อมการใช้พลังงานที่ดีขึ้น หลังจากนั้น Samsung จะเข้าสู่กระบวนการ 4nm Low Power Early และ Low Power Plus กระบวนการ 4nm จะเป็นรุ่นสุดท้ายที่มีเทคโนโลยี FinFET

LPP ขนาด 7 นาโนเมตรเป็นกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์แรกที่ใช้โซลูชันการพิมพ์หินของ EUV และจะพร้อมผลิตจำนวนมากในช่วงครึ่งหลังของปี 2018 TSMC และ Globalfoundries ได้ประกาศแผนการที่คล้ายกันและจะเริ่มการผลิตในปี 2019

โหนดกระบวนการ 3 นาโนเมตรจะใช้ GAA ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรมอุปกรณ์รุ่นใหม่ สิ่งนี้ทำขึ้นเพื่อเอาชนะข้อ จำกัด ทางกายภาพและการปรับขนาดของสถาปัตยกรรม FinFET Samsung กำลังพัฒนาเทคโนโลยี GAA คือ MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) ที่ใช้อุปกรณ์นาโนชีต ซัมซุงอ้างว่าประสิทธิภาพของโหนด 3 นาโนเมตรจะดีขึ้นอย่างมาก

ตามที่ Charlie Bae รองประธานบริหารและหัวหน้าฝ่ายขายและการตลาดของ Foundry:

“ แนวโน้มสู่โลกแห่งการเชื่อมต่อที่ชาญฉลาดขึ้นทำให้อุตสาหกรรมต้องการผู้ให้บริการซิลิคอนมากขึ้น”

เป็นเรื่องน่าตื่นเต้นที่ทราบว่าเราได้ทราบเกี่ยวกับกระบวนการ 5 นาโนเมตรของ Samsung แล้วรวมถึงกระบวนการ 4 นาโนเมตรและ 3 นาโนเมตรก่อนที่ 7 นาโนเมตรจะเข้าสู่การผลิต ซึ่งหมายความว่า Samsung เป็นผู้นำในอนาคตและได้คิดสิ่งต่างๆออกไปแล้ว เป็นเรื่องที่น่าสนใจที่จะเห็นว่าชิปที่กำลังจะมาถึงเหล่านี้มีประโยชน์อย่างไรเมื่อเทียบกับชิปที่เรามีอยู่ในตลาดตอนนี้

เมื่อคำนึงถึงสิ่งเหล่านี้ Intel ก็จำเป็นต้องติดตามและเร่งความเร็วให้กับกระบวนการของตนเช่นกัน

แจ้งให้เราทราบว่าคุณคิดอย่างไรเกี่ยวกับกระบวนการ 5 นาโนเมตรของ Samsung และนี่คือสิ่งที่คุณสนใจหรือไม่