Gigazine
การเชื่อมช่องว่างของเทคโนโลยีใหม่เป็นเรื่องที่ท้าทายมากสำหรับ Intel และเกือบสามปีต่อมาหลังจากการเปิดเผยหน่วยความจำ 3D Xpoint ในที่สุด บริษัท ก็ได้พัฒนา Optane DC และกำหนดให้เป็น 'คลาสใหม่ทั้งหมด' ของการจัดเก็บข้อมูลและเทคโนโลยี
Optane DC ทำงานแตกต่างจาก DRAM แบบเดิมและทำงานบน DIMM นวัตกรรมนี้จะเชื่อมช่องว่าง DRAM และหน่วยความจำรองโดยการเพิ่มจำนวนหน่วยความจำที่มีอยู่บน CPU เป็น 3TB เมมโมรี่สติ๊กนั้นพอดีกับเมนบอร์ดของพีซี ประเด็นหลักที่ บริษัท ทำคือความเสถียรแม้ว่าระบบจะไม่ทำงานเต็มกำลัง
อุปกรณ์ดังกล่าวจะมีให้เลือกในความจุที่แตกต่างกันสามแบบคือ 128GB, 256GB และ 512GB ระบบเดียวที่รองรับอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลเหล่านี้ ได้แก่ โปรเซสเซอร์ Xeon ซึ่งเป็นระบบอัปเกรดที่ทันสมัย จากข้อมูลของ Intel สิ่งที่ทำให้เมมโมรี่สติ๊กรุ่นนี้มีความพิเศษคือความคุ้มค่าและทำงานได้ค่อนข้างดีจนถึงขณะนี้ จึงถูกระบุว่าเป็น 'โซลูชันฐานข้อมูลที่ดีที่สุด'
Intel สัญญาว่าจะเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานสูงสุดถึง 9.4 เท่าต่อวินาทีโดยการลดเวลาแฝง ทำได้โดยการจัดเก็บข้อมูลให้ใกล้โปรเซสเซอร์มากขึ้นโดยลดเวลาในการรีสตาร์ทจากนาทีเป็นวินาที ข้อมูลที่เข้ารหัสสูงจะถูกบันทึกไว้ในฮาร์ดแวร์ ไม่เพียงแค่นี้เมมโมรี่สติ๊กยังนำเสนอการวิเคราะห์ข้อมูลที่รวดเร็วขึ้นและการเกิดเซิร์ฟเวอร์ที่มากขึ้น
“ หน่วยความจำถาวรของ Intel Optane DC ต่างจาก DRAM แบบเดิมที่นำเสนอการผสมผสานระหว่างความจุสูงความสามารถในการจ่ายและความคงทนที่ไม่เคยมีมาก่อน ด้วยการขยายความจุหน่วยความจำระบบราคาไม่แพง (มากกว่า 3 เทราไบต์ต่อซ็อกเก็ตซีพียู) ลูกค้าปลายทางสามารถใช้ระบบที่เปิดใช้งานกับหน่วยความจำคลาสใหม่นี้เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพปริมาณงานได้ดีขึ้นโดยการย้ายและดูแลข้อมูลจำนวนมากให้ใกล้กับโปรเซสเซอร์และลดเวลาแฝงที่สูงขึ้น ของการดึงข้อมูลจากที่เก็บข้อมูลระบบ” เขียน Lisa Spelman รองประธานและผู้จัดการทั่วไปผลิตภัณฑ์ Intel Xeon และ Data Center Marketing ของ Intel
Intel กำลังส่งเสริมความพร้อมใช้งานสำหรับนักพัฒนาแอพในเรื่องความพร้อมใช้งานสำหรับคนจำนวนมากเพื่อใช้ประโยชน์จากหน่วยความจำส่วนใหญ่ที่เพิ่งเปิดตัวด้วยวิธีที่มีประสิทธิภาพและดีกว่า
